[14a-315-1~8] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14a-315-1] GaN多孔質構造の形状およびキャリア濃度の違いとインピーダンス特性について

〇伊藤 圭亮¹、張 笑逸¹、熊崎 祐介¹、佐藤 威友¹ (1.北大量集セ)

キーワード：電気化学インピーダンス法

窒化ガリウム(GaN)は、大きなバンドギャップと高い熱的・化学的安定性を持つことから、太陽電池や光触媒電極など光-化学-電気エネルギー変換材料として期待されている。さらに電気化学的手法により形成される多孔質構造は、大表面積・低光反射率という特徴を有すため、エネルギー変換効率の向上に有望である。本研究では、複雑な形状を持つGaN多孔質構造の電荷輸送特性を明らかにするため、電気化学インピーダンス法（EIS法）を用いて、周波数応答特性の解析を行った。