[14a-315-1~8] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [14a-315-4] サブバンドギャップ光を用いたMCTS法によるn型GaNホモエピタキシャル成長層中の正孔トラップの評価

〇鐘ヶ江 一孝¹、堀田 昌宏²、木本 恒暢²、須田 淳^2,3 (1.京大工、2.京大院工、3.名大 未来材料・システム研究所)

キーワード：GaN、MCTS、サブバンドギャップ光

GaNパワーデバイスの性能の向上のために、GaNホモエピタキシャル成長層中の点欠陥と深い準位の関係解明が重要であり、そのためには電子トラップだけでなく、正孔トラップも含めた総合的な理解が必要となる。本研究では、サブバンドギャップ光を用いたMCTS法により、ショットキー電極下全体に均一な正孔トラップの正孔占有状態をつくった。本手法を用いれば電極サイズによらずに正孔占有状態にある正孔トラップの密度を比較することが可能となる。