[14a-315-1~8] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[14a-315-5] Characterization of inductively coupled plasma reactive ion etching damage for n-type GaN

〇Shinji Yamada^1,2, Hideki Sakurai^1,2, Masato Omori¹, Yamato Osada², Ryuichiro Kamimura², Masahiro Horita³, Jun Suda^1,3, Tetsu Kachi¹ (1.Nagoya Univ. IMaSS, 2.ULVAC ISET, 3.Kyoto Univ.)

Keywords:GaN, etching

大電流駆動・高耐圧・高速スイッチング特性を有する次世代パワーデバイスとして、GaN縦型パワーデバイスが注目されている。このデバイス構造を実現する上で、トレンチ型ゲート形成や分離メサ形成を担うエッチング技術は、重要な基幹プロセスの一つである。今回、GaN基板上に形成されたテスト構造を用い、GaNエッチングプロセス時のICP-RIEのバイアスパワー依存性を調べることで、電気特性に与える影響を評価した。