[14a-318-1~9] 15.5 Group IV crystals and alloys

[14a-318-3] Self-assembled growth of Ge quantum dots on strain-compensated Si_1-xC_x spacer via carbon mediation

〇(D)Yuhki Itoh^1,2, Tomoyuki Kawashima¹, Katsuyoshi Washio¹ (1.Grad. Sch. Eng., Tohoku Univ., 2.JSPS Research Fellow DC)

Keywords:quantum dots, germanium, carbon

カーボン(C)媒介によるc(4×4)表面再構成(SR)を利用したSi(100)基板上のGe量子ドット(QD)の自己組織的形成を検討してきた。Ge QDの光学応用にはQDの積層が必要であるが、積層数の増加に伴いQD層に伸長歪が蓄積し、QDの肥大化が発生する。本報告では、化合物半導体のQD積層で利用されている歪補償法をGe QD積層に応用し、Si_1-xC_x歪補償層中間層上のGe QD形成について検討した。