[14a-318-1~9] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[14a-318-3] Si_1-xC_x歪補償中間層上のカーボン媒介によるGe量子ドットの自己組織的成長

〇(D)伊藤 友樹^1,2、川島 知之¹、鷲尾 勝由¹ (1.東北大院工、2.学振特別研究員 DC)

キーワード：量子ドット、ゲルマニウム、カーボン

カーボン(C)媒介によるc(4×4)表面再構成(SR)を利用したSi(100)基板上のGe量子ドット(QD)の自己組織的形成を検討してきた。Ge QDの光学応用にはQDの積層が必要であるが、積層数の増加に伴いQD層に伸長歪が蓄積し、QDの肥大化が発生する。本報告では、化合物半導体のQD積層で利用されている歪補償法をGe QD積層に応用し、Si_1-xC_x歪補償層中間層上のGe QD形成について検討した。