[14a-318-1~9] 15.5 Group IV crystals and alloys

[14a-318-6] Effects of low-temperature buffer layer on GeSn epitaxial growth

〇Takahiro Tsukamoto¹, Nobumitsu Hirose², Akifumi Kasamatsu², Toshiaki Matsui², Yoshiyuki Suda¹ (1.Tokyo Univ. Agric. Technol., 2.NICT)

Keywords:GeSn, crystal growth

GeSnは直接遷移可能なⅣ属半導体であり、光デバイスへの応用が期待されている。GeSnにおけるSn組成比の増大や結晶性の改善により光学特性の向上が期待されるため、高いSn組成比と優れた結晶性を同時に実現したGeSn薄膜形成技術の開発が必要である。本研究では、低温成膜GeSnバッファ層上のGeSn薄膜形成におけるSn析出の挙動について報告する。