[14a-318-1~9] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[14a-318-5] Geバッファ層導入によるSi(001)基板上への歪緩和Ge_1−x−ySi_xSn_y層の形成

〇(B)渡邉 千皓¹、福田 雅大¹、坂下 満男¹、黒澤 昌志¹、中塚 理¹、財満 鎭明^1,2 (1.名古屋大院工、2.名古屋大未来材料・システム研究所)

キーワード：半導体、GeSiSn、Geバッファ