[14a-318-1~9] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[14a-318-6] GeSn薄膜形成における低温成膜GeSnバッファ層の効果

〇塚本 貴広¹、広瀬 信光²、笠松 章史²、松井 敏明²、須田 良幸¹ (1.東京農工大院工、2.情報通信研究機構)

キーワード：GeSn、結晶成長

GeSnは直接遷移可能なⅣ属半導体であり、光デバイスへの応用が期待されている。GeSnにおけるSn組成比の増大や結晶性の改善により光学特性の向上が期待されるため、高いSn組成比と優れた結晶性を同時に実現したGeSn薄膜形成技術の開発が必要である。本研究では、低温成膜GeSnバッファ層上のGeSn薄膜形成におけるSn析出の挙動について報告する。