[14a-412-1~12] 6.2 Carbon-based thin films

△ [14a-412-3] Influence of Surface Termination on Shallow NV Centers in Diamond

〇(B)Sora Kawai¹, Hayate Yamano¹, Miki Kajiya¹, Taisuke Kageura¹, Masafumi Inaba¹, Ryosuke Fukuda¹, Takuma Okada¹, Itaru Higashimata¹, Moriyoshi Haruyama^2,4, Tanii Takashi¹, Keisuke Yamada², Shinobu Onoda², Tokuyuki Teraji³, Wataru Kada⁴, Osamu Hanaizumi⁴, Junichi Isoya⁵, Hiroshi Kawarada^1,6 (1.Waseda Univ., 2.QST, 3.NIMS, 4.Gunma Univ., 5.Univ. of Tsukuba, 6.Zaiken)

Keywords:NV center, diamond

ダイヤモンド中のNVセンターは優れた特性をもっており、様々な応用が期待されている。しかし、ダイヤモンド基板表面近傍に存在する浅いNVセンターは電荷状態が不安定でコヒーレンス時間が短いことが報告されている。本研究では、イオン注入法によって浅いNVセンターを作製し、ダイヤモンドの表面終端制御を行うことによる影響を、共焦点レーザー操作型蛍光顕微鏡によって評価した。