[14a-412-1~12] 6.2 カーボン系薄膜

△ [14a-412-3] 表面終端がダイヤモンド中の浅いNVセンターへ与える影響

〇(B)河合 空¹、山野 颯¹、梶家 美貴¹、蔭浦 泰資¹、稲葉 優文¹、福田 諒介¹、岡田 拓真¹、東又 格¹、春山 盛善^2,4、谷井 孝至¹、山田 圭介²、小野田 忍²、寺地 徳之³、加田 渉⁴、花泉 修⁴、磯谷 順一⁵、川原田 洋^1,6 (1.早大理工、2.量研機構、3.物材機構、4.群馬大、5.筑波大、6.早大材研)

キーワード：NVセンター、ダイヤモンド

ダイヤモンド中のNVセンターは優れた特性をもっており、様々な応用が期待されている。しかし、ダイヤモンド基板表面近傍に存在する浅いNVセンターは電荷状態が不安定でコヒーレンス時間が短いことが報告されている。本研究では、イオン注入法によって浅いNVセンターを作製し、ダイヤモンドの表面終端制御を行うことによる影響を、共焦点レーザー操作型蛍光顕微鏡によって評価した。