[14a-419-1~10] 6.3 Oxide electronics

△ [14a-419-1] Analysis of valence electron state in resistance change region of rutile TiO2 single crystals memristor

〇Kengo Yamaguchi¹, Shotaro Takeuchi¹, Akira Sakai¹, Nobuyuki Ikarashi² (1.Osaka Univ., 2.Nagoya Univ.)

Keywords:resistive switching, TiO2, STEM-EELS

抵抗変化（RS）現象を示すTiO₂はメモリスタ素子材料として期待されている。我々は4端子平面型メモリスタ素子において酸素空孔分布の精密制御による可逆的RS特性を報告してきた。今回、本素子のRS領域内におけるRS特性と結晶構造・価電子状態の相関を捉えるためSTEM-EELS測定を行った。その結果、RS領域内の表層付近においてTiO₂組成が局所的に変化していることを見出した。この変化が素子のRSと関連していると考えられる。