9:15 AM - 9:30 AM
△ [14a-419-2] Repetition characteristics of resistive switching by the control of oxygen vacancy distribution in rutile type TiO2 single crystals
Keywords:memristor, TiO2, resistive switching
新規不揮発性メモリであるReRAMや脳型コンピュータにおけるシナプス素子への応用が期待されるメモリスタの材料として、抵抗変化（RS）現象を示すTiO2が挙げられる。メモリスタ素子はこれらの応用に向けて、高繰返し耐性や抵抗値の多値化などが必要とされている。そこで、ドーパント（酸素空孔）分布を電界により制御することに着目し、我々はTiO2単結晶基板上に作製した4端子平面型素子で酸素空孔分布の精密制御によるRS特性の繰返し特性評価を行った。