[14a-419-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [14a-419-2] ルチル型TiO₂単結晶の酸素空孔分布制御による抵抗変化の繰返し特性

〇清水 拓磨¹、竹内 正太郎¹、酒井 朗¹ (1.阪大院基礎工)

キーワード：メモリスタ、TiO2、抵抗変化

新規不揮発性メモリであるReRAMや脳型コンピュータにおけるシナプス素子への応用が期待されるメモリスタの材料として、抵抗変化（RS）現象を示すTiO₂が挙げられる。メモリスタ素子はこれらの応用に向けて、高繰返し耐性や抵抗値の多値化などが必要とされている。そこで、ドーパント（酸素空孔）分布を電界により制御することに着目し、我々はTiO₂単結晶基板上に作製した4端子平面型素子で酸素空孔分布の精密制御によるRS特性の繰返し特性評価を行った。