[14a-419-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[14a-419-6] 多並列接続Cu-MoO_x-Al抵抗変化型メモリのアナログメモリ動作

〇原田 將敬¹、安藤 秀幸¹、森江 隆¹、勝村 玲音²、福地 厚²、有田 正志²、高橋 庸夫² (1.九工大・生命体工、2.北大・院情報)

キーワード：抵抗変化型メモリ、アナログメモリ

本研究では，多並列接続した抵抗変化型素子(ReRAM)の特性を評価した． ReRAMは，アナログメモリ素子として，超並列処理を実行する脳型AIチッ プへの適用が期待されている．単体素子では，変化特性のばらつきが大 きく，アナログ的な制御が困難であったが，多並列接続にすることで， 単体素子と比べて変化特性のばらつきを抑えられることがわかった．