[14a-502-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[14a-502-2] MgO基板上に形成したβ-Ga₂O₃薄膜の結晶配向性

〇中込 真二¹、國分 義弘¹ (1.石巻専修大理工)

キーワード：酸化ガリウム、結晶配向

立方晶であるMgO基板の (100),(111),(110)の各面上に形成した酸化ガリウムβ-Ga₂O₃の結晶配向についてのMiらの報告の検証を行った結果、(110)基板上に関しては、基板表面の回転ドメインの振る舞いが90度ずれており、β-Ga₂O₃ [010]⊥MgO[001]であることが分かった。