[14a-502-1~10] 21.1 Joint Session K

[14a-502-5] Evaluation of band-gap of β-(Al_xGa_1-x)₂O₃ films grown on β-Ga₂O₃ (100) substrates

〇Mai Hattori¹, Ryo Wakabayashi¹, Kohei Sasaki², Takekazu Masui², Akito Kuramata², Sigenobu Yamakoshi², Koji Horiba^3,4, Hiroshi Kumigashira^3,4, Kohei Yoshimatsu¹, Akira Ohtomo^1,4 (1.Tokyo Tech., Dept. Chem. Sci. Eng., 2.Tamura Corporation, 3.PF - KEK, 4.MCES.)

Keywords:Gallium Oxide, Band-gap

パワー半導体として注目されているβ-Ga₂O₃に関して，β-(Al_xGa_1-x)₂O₃とのヘテロ接合のデバイス応用が盛んに検討されている．既報のβ-(Al_xGa_1-x)₂O₃のバンドギャップ (E_g) の組成依存性は，高Al組成における結晶性が乏しいといった課題がある．今回高結晶性薄膜のE_g (x) について評価したので報告する．