[14a-502-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[14a-502-5] β-Ga₂O₃ (100) 上に成長したβ-(Al_xGa_1-x)₂O₃薄膜のバンドギャップ評価

〇服部 真依¹、若林 諒¹、佐々木 公平²、増井 建和²、倉又 朗人²、山腰 茂伸²、堀場 弘司^3,4、組頭 広志^3,4、吉松 公平¹、大友 明^1,4 (1.東工大物質理工学院、2.タムラ製作所、3.高エネ研、4.元素戦略)

キーワード：酸化ガリウム、バンドギャップ

パワー半導体として注目されているβ-Ga₂O₃に関して，β-(Al_xGa_1-x)₂O₃とのヘテロ接合のデバイス応用が盛んに検討されている．既報のβ-(Al_xGa_1-x)₂O₃のバンドギャップ (E_g) の組成依存性は，高Al組成における結晶性が乏しいといった課題がある．今回高結晶性薄膜のE_g (x) について評価したので報告する．