[14a-502-1~10] 21.1 Joint Session K

△ [14a-502-9] Control of Ga₂O₃ Crystal Structure by introducing of α-(Al_xGa_1-x)₂O₃ Buffer Layer

〇Riena Jinno¹, Takayuki Uchida¹, Kentaro Kaneko¹, Shizuo Fujtia¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:Wide Band-gap semiconductor, Gallium Oxide

超ワイドバンドギャップ半導体材料の1つであるGa₂O₃の構造制御に関する発表である。α-(Al_xGa_1-x)₂O₃バッファ層を導入することで、成長温度によりα-Ga₂O₃とε-Ga₂O₃の両方の構造の制御に成功した。