[14a-503-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[14a-503-10] DERI法を用いたサファイア上N極性InN成長

〇(M1)久保中 湧士¹、毛利 真一郎¹、荒木 努¹、名西 憓之¹ (1.立命館大理工)

キーワード：InN、窒素極性、分子線エピタキシー

InNは電子移動度と飽和ドリフト速度が窒化物半導体の中で最も大きい物性値を有しており、高速・高周波デバイス材料としての応用が期待されている。本研究室からV/III比の厳密な制御を必要とすることなく、再現性の良い高品質なInN単結晶得ることができる手法としてDERI法を提案している。
本研究では、さらなるInNの高品質化に向け、より高温での結晶成長が可能なN極性InNに対して、DERI法での成長を試みたので報告する。