[14a-503-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[14a-503-4] PSD法による高濃度高移動度n型GaNの開発

〇上野 耕平¹、荒川 靖章¹、小林 篤¹、太田 実雄^1,2、藤岡 洋^1,3 (1.東大生研、2.JST-さきがけ、3.JST-ACCEL)

キーワード：GaN、スパッタリング