[14a-503-1~12] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [14a-503-9] RHEED Oscillations during N* Irradiation in MBE Growth of AlN with Alternative Source Supply Sequence

〇Kazuto Hirai¹, Mitsuaki Kaneko¹, Tsunenobu Kimoto¹, Jun Suda¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:AlN, rf-MBE, layer-by-layer growth

原料交互供給MBE法を用いてドロップレットフリーAlN層の成長を試みていたところ、Al供給後のN*供給時にRHEED強度に振動が見られた。振動周期は1.9秒と一定で、Al供給量と同程度のN*を供給すると振動は止まり、その後N*を供給してもRHEED強度に変化はなかった。Alの供給量を変化させても同様であった。このことから、RHEED振動はAlNのlayer-by-layer成長によるものだと考え、振動周期から成長レートを求めるとN*供給レートと合致した。