2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.7 レーザープロセシング

[14a-512-1~11] 3.7 レーザープロセシング

2017年3月14日(火) 09:00 〜 12:15 512 (511+512)

中村 貴宏(東北大)、佐藤 雄二(阪大)

11:45 〜 12:00

[14a-512-10] ポリカーボネート上シリコーン膜表面に形成したF2レーザー誘起SiO2改質膜のクラック抑制(2)

野尻 秀智1,2、大越 昌幸1 (1.防衛大、2.レニアス)

キーワード:フッ素レーザー、シリコーン、ポリカーボネート

ポリカーボネート上に塗布したシリコーン樹脂に、F2レーザーを照射してSiO2を形成する際に、メッシュマスクを用いて照射エリアを細分化することによりクラックを抑制できたが、100℃ 3 hの加熱試験を実施すると照射端部にクラックが多数発生した。加熱試験を行う前にレーザーが照射された表面をスチールウールで擦ることにより、クラックを著しく低減できることがわかった。表面付近に生じた強い引張応力が、スチールウールの擦傷により緩和されたと考えられる。