[14a-512-1~11] 3.7 レーザープロセシング

[14a-512-2] レーザー直接描画とめっきプロセスの併用による金属配線形成

〇渡辺 明¹、蔡 金光^1,2 (1.東北大多元研、2.China Acad. Eng. Phys.)

キーワード：レーザー直接描画、銅配線、めっきプロセス

金属ナノ粒子を用いたレーザー直接描画法によるオンデマンドプロセスとめっきプロセスとを組み合わせた手法によって，金属配線やアンテナ等のパッシブ型デバイスの形成を行った。銅ナノ粒子を用いたレーザー直接描画法により形成した銅シード層と銅電解めっきとの組み合わせにより，2μｍ以上の膜厚の銅配線を形成できた。