[14a-512-1~11] 3.7 Laser processing

[14a-512-9] Al doping to poly-Si thin films using XeF excimer laser irradiation in AlCl₃ aqueous solution

〇Akira Suwa^1,2, Nozomu Tanaka¹, Daisuke Nakamura¹, Taizoh Sadoh¹, Hiroshi Ikenoue^1,2 (1.Graduate School of I.S.E.E. Kyushu Univ., 2.Department of Gigaphoton Next GLP, Kyushu Univ.)

Keywords:laser doping in solution, excimer laser annealing, low-temperature poly-Si

低温ポリシリコンをAlCl₃水溶液中でXeFエキシマレーザを照射し、低温ポリシリコンへのAlドーピングの検討を行った。低温ポリシリコンはガラス基板上に成膜したアモルファスシリコンをXeFエキシマレーザアニーリングにより作製した。AlCl₃水溶液中で低温ポリシリコン膜にXeFレーザ照射した基板を4探針測定を行った。その結果、抵抗率が約1.0 Ω･cmまで低下したことを確認した。