[14a-F201-1~11] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

△ [14a-F201-1] 表面直入射配置における明視野同時回折Ｘ線トポグラフィ

〇(M1)鶴丸 哲也¹、水落 博之¹、鎌本 春花¹、津坂 佳幸^1,2、篭島 靖^1,2、松井 純爾² (1.兵庫県大院物質理学、2.兵庫県大・放射光ナノテクセンター)

キーワード：Ｘ線トポグラフィ

明視野Ⅹ線トポグラフィは転位像を大きな変形なく撮影できる。シリコンのミスフィット転位であるa/2<110>のバーガースベクトルbの決定のため、等価な{111}面からの回折を採用した。Ｘ線のエネルギーを13.7 keVとして試料(100)表面に対し垂直に入射することで、等価な{444}面からの回折を励起した。これらの像においてg・b = 0，g・[b×n]≠0による残留コントラストが生じる可能性もあるため、g・[b×n] = 0を満たす{224}面からの回折についても検討した。