[14p-315-1~15] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14p-315-10] AlGaN/GaN HEMTのゲートリセス構造形成における
中性粒子ビームエッチング適用効果

〇渡村 遥¹、邉見 ふゆみ¹、Thomas Cedric²、Lai Yi-Chun³、肥後 昭男³、寒川 誠二^2,3、尾辻 泰一¹、末光 哲也¹ (1.東北大通研、2.東北大流体研、3.東北大AIMR)

キーワード：窒化物半導体、電子デバイス、プロセス技術