[14p-315-1~15] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [14p-315-13] 窒化物半導体HEMTの電子輸送特性に双極子散乱が及ぼす影響

〇(B)星野 知輝¹、森 伸也¹ (1.阪大工)

キーワード：GaN、HEMT、モンテカルロ

AlGaN/GaNなどのヘテロ構造では，分極電荷により，アンドープでも高濃度の2次元電子ガス(2DEG)が生じ，それを利用した高電子移動度トランジスタ(HEMT)が，高速・高耐圧デバイスとして注目されている．しかし，AlGaNなどの混晶半導体では，分極電荷を作り出す双極子が空間的にランダムに存在するため，電子散乱の原因となる．本研究では，GaNチャネルおよびInGaNチャネルHEMTの電子輸送特性に，ランダム双極子散乱が及ぼす影響について理論的に調べた．