[14p-315-1~15] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14p-315-2] サファイア基板上AlGaN/GaN HEMTのドレイン電流DLTS、MCTS

〇高林 洸太¹、徳田 豊¹ (1.愛知工大)

キーワード：AlGaN/GaN HEMT、DLTS、MCTS

サファイア基板上AlGaN/GaN HEMTに対し、ドレイン電流DLTS,MCTS測定を行いトラップを評価した。また、サファイア基板上n-GaNショットキーダイオードに対し、容量DLTS，MCTS測定を行った。DLTS、MCTS測定より2つの電子トラップE1(E_c-0.24 eV),E3(E_c-0.60 eV)、2つの正孔トラップH1(E_v+0.86 eV),H3(E_v+0.25 eV)がHEMTとショットキーダイオード共に観測された。これはMOCVD成長により形成されるトラップがAlGaN/GaN HEMTのGaN中に存在していることを示している。