[14p-315-1~15] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [14p-315-3] オペランド顕微分光法を用いたGaN-HEMTにおける電流コラプス現象の発生機構に関する研究

〇大美賀 圭一¹、舘野 泰範²、河内 剛志²、駒谷 務³、永村 直佳⁴、今野 隼⁵、高橋 良暢⁵、小嗣 真人⁵、堀場 弘司⁶、尾嶋 正治⁷、末光 眞希¹、吹留 博一¹ (1.東北大通研、2.住友電工、3.住友電工デバイス・イノベーション、4.物材機構、5.東京理科大、6.高エネ研、7.東大)

キーワード：電流コラプス現象、オペランド顕微分光