[14p-315-1~15] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14p-315-7] 自立GaN基板上ショットキー接合ダイオード用エピタキシャル層における基板オフ角とPL-YL発光強度の関係

〇堀切 文正¹、成田 好伸¹、吉田 丈洋¹、北村 寿朗¹、太田 博²、中村 徹²、三島 友義² (1.(株)サイオクス、2.法政大学)

キーワード：窒化ガリウム、パワーデバイス、非破壊検査方法

自立GaN基板上にMOVPE法によりショットキー接合ダイオード用のn-GaN層を成長し、フォトルミネッセンス(PL)測定を行う事で、ウエハレベルの非破壊検査を実施した。PL測定におけるイエロー発光(PL-YL)は、不純物アクセプターである炭素(C)やGa欠陥などの深い準位に対応すると報告されている。本報告では、基板のオフ角との相関や、C-V測定およびSIMSの結果と合わせて報告する。