[14p-315-1~15] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [14p-315-8] GaN自立基板上PNダイオードの逆方向リークと転位の関係

〇宇佐美 茂佳¹、安藤 悠人¹、田中 敦之²、永松 謙太郎²、久志本 真希¹、出来 真斗²、新田 州吾²、本田 善央²、天野 浩^2,3,4 (1.名大院工、2.名大未来材料．システム研究所、3.名大赤﨑記念研究センター、4.名大VBL)

キーワード：窒化物半導体、PNダイオード、Emission顕微鏡