[14p-315-1~15] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

△ [14p-315-9] Temperature dependence of barrier height in Ni/n-GaN vertical Schottky barrier diode

〇Takuya Maeda¹, Masaya Okada², Masaki Ueno², Yoshiyuki Yamamoto², Tsunenobu Kimoto¹, Masahiro Horita¹, Jun Suda¹ (1.Kyoto Univ., 2.Sumitomo Electric Industries,Ltd.)

Keywords:GaN, Schotty barrier diode, barrier height

本研究では，223-573 Kにおいて，Ni/n-GaN縦型ショットキーバリアダイオードの障壁高さの温度依存性を求めた．容量-電圧測定から求めた障壁高さは温度上昇につれて線形に低下し，その温度係数は-1.8×10^(-4) eV/Kとなった．これは，温度上昇につれてバンドギャップが縮小(伝導帯底が低下)することに起因していると考えられる．なお，順方向電流-電圧測定，内部光電子放出測定によって求めた障壁高さの温度依存性は，それぞれ-2.3×10^(-4) eV/K，-1.7×10^(-4) eV/Kとなった．