[14p-411-1~14] 13.9 Optical properties and light-emitting devices

△ [14p-411-13] Optical Characterization of Carrier Recombination Processes in Intermediate-Band Type GaPN Alloy

〇Chika Negishi¹, Dulal Haque¹, Norihiko Kamata¹, Hiroyuki Yaguchi¹ (1.Saitama Univ.)

Keywords:GaPN, Photoluminescence

間接遷移型半導体であるGaPへの窒素添加量を増すと、等電子トラップからN-N対準位、さらには中間バンド（IB）が形成され、IB型太陽電池への応用も期待されている。高効率化にはIBを介したキャリア再結合準位の評価が不可欠だが、未だ定量的評価には至っていない。そこでGaPN混晶におけるキャリア再結合過程を2波長励起フォトルミネッセンスの手法で検討した。その結果、IBを介した複数のキャリア再結合準位の存在が示された。