2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.2 カーボン系薄膜

[14p-412-1~18] 6.2 カーボン系薄膜

2017年3月14日(火) 13:15 〜 18:15 412 (412)

川原田 洋(早大)、梅沢 仁(産総研)、鈴木 真理子(東芝)

16:15 〜 16:30

[14p-412-12] 強誘電体をゲート絶縁膜としたホウ素ドープダイヤモンドFET構造の作製(2)

柄谷 涼太1、馬場 一気1、吉田 稜1、庄司 駿輔1、中嶋 宇史2、松本 翼1、徳田 規夫1、〇川江 健1 (1.金沢大理工、2.東京理科大)

キーワード:B添加ダイヤモンド、強誘電体ゲート、FET