PDF ダウンロード スケジュール 9 いいね! 0 コメント (0) 16:15 〜 16:30 [14p-412-12] 強誘電体をゲート絶縁膜としたホウ素ドープダイヤモンドFET構造の作製(2) 柄谷 涼太1、馬場 一気1、吉田 稜1、庄司 駿輔1、中嶋 宇史2、松本 翼1、徳田 規夫1、〇川江 健1 (1.金沢大理工、2.東京理科大) キーワード:B添加ダイヤモンド、強誘電体ゲート、FET