[14p-412-1~18] 6.2 カーボン系薄膜

[14p-412-17] X線トポグラフィを用いたp⁺HPHTダイヤモンドの欠陥評価

〇(M1)亀井 栄一¹、山口 浩司¹、土田 有記¹、鹿田 真一¹ (1.関学大理工)

キーワード：ダイヤモンド

BドープHPHT単結晶ダイヤモンドを用い、九州シンクロトロン光研究センター(SAGA-LS)のSR光BL09によるX線トポグラフィと、走査型電子顕微鏡(SEM)によって欠陥の非破壊観察を行った。X線トポグラフィではGrowth sectorとStacking Faultが明確に観察でき、SEMでは転位と対応する部分にエッチピットが確認できた。以上の特徴は、大小差こそあれp+ HPHT結晶に共通するもので、パワーデバイス用のウェハの種結晶とするには早急に解決せねばならない課題である。