[14p-412-1~18] 6.2 Carbon-based thin films

△ [14p-412-6] Electrical properties of diamond Schottky-pn diode at forward bias under high temperature condition

〇(M1)Naoto Ozawa^1,2, Toshiharu Makino², Hiromitsu Kato², Masahiko Ogura², Hideyo Okushi², Satoshi Yamasaki^1,2 (1.Tsukuba Univ., 2.AIST)

Keywords:power device, diamond

ダイヤモンドは、次世代パワーエレクトロニクス分野での応用が期待されている。Schottky-pn diode（SPND）は、低オン抵抗、高耐圧、高速スイッチングを実現できるダイオード構造として提案された。本研究では、SPNDのキャリアの伝導機構を明らかにすることを目標として、高い温度領域での電気特性の評価を行った。650Kにおいてもダイオード動作をし、温度上昇に伴い立ち上がり電圧が小さくなることを確認した。