[14p-412-1~18] 6.2 カーボン系薄膜

[14p-412-7] ボロンドープダイヤモンドのICPエッチングによる表面損傷

〇加藤 有香子¹、川島 宏幸^1,2、牧野 俊晴¹ (1.産総研、2.筑波大)

キーワード：ダイヤモンド、表面損傷、エッチング

ダイヤモンドはパワーデバイスとしての応用が期待されており、実用化に向けて合成・デバイスなど多岐にわたる分野での研究が進められている。我々は、ダイヤモンドの物性を損なうことなくデバイス化するためにはデバイスプロセス技術の醸成が必要不可欠であると考え、ICPエッチング加工によるダイヤモンド表面損傷を光電子分光法で評価し、損傷が小さくなるICPエッチングの条件を探索したので報告する。