The 64th JSAP Spring Meeting, 2017

Presentation information

Oral presentation

6 Thin Films and Surfaces » 6.3 Oxide electronics

[14p-419-1~16] 6.3 Oxide electronics

Tue. Mar 14, 2017 1:30 PM - 6:00 PM 419 (419)

Atsushi Fukuchi(北大), Yusuke Kozuka(東大)

4:15 PM - 4:30 PM

[14p-419-10] Epitaxial growth and physical properties of β-pyrochlore-type CsW2O6 films

Takuto Soma1, Kohei Yoshimatsu1, Akira Ohtomo1,2 (1.Tokyo Tech., 2.MCES)

Keywords:Metal-insulator transition, Tungsten oxide, Spin-orbit interaction

CsW2O6βパイロクロア型構造をとり,200 K付近において特異な金属-絶縁体転移を示すことが最近報告された.W原子あたりの5d電子数は0.5であり,その混合原子価状態やWの原子番号から期待される大きなスピン軌道相互作用の関与が示唆されている.しかし合成の困難さから,単結晶はおろか高密度な多結晶体すら得られていない.今回我々はPLD法により高品質な単結晶薄膜を作製し,本質的な物性の評価を行った.