[14p-419-1~16] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [14p-419-7] トポタクティックフッ素導入/酸素アニールによるNdNiO₃薄膜の可逆的抵抗制御

〇(DC)小野塚 智也¹、近松 彰¹、片山 司¹、廣瀬 靖^1,2、原山 勲³、関場 大一郎³、池永 英司⁴、簑原 誠人⁵、組頭 広志⁵、長谷川 哲也^1,2 (1.東大院理、2.KAST、3.UTTAC、4.JASRI、5.KEK-PF)

キーワード：パルスレーザー堆積法、酸フッ化物、トポタクティック反応