[14p-421-1~12] 9.1 Dielectrics, ferroelectrics

[14p-421-1] Effect of Sintering Temperature on the Transfer Characteristics of Solution-Processed IGZO Thin Films

〇(PC)Takaaki Morimoto¹, Nobuko Fukuda³, Yoshimichi Ohki^1,2 (1.SASE of Waseda Univ., 2.RIMST of Waseda Univ., 3.FLEC of AIST)

Keywords:IGZO, Solution Process, XPS

溶液法IGZO薄膜の焼成温度を300℃から800℃に増加させるとV_G>0におけるI_D(オン電流)が増加する。しかし、I_D増加の原因となる、ドナー準位と伝導帯のエネルギー差の減少は見られない。一方、電子散乱中心となる酸素空孔や水酸基が減少しており、それがI_D増加の原因と考えられる。本IGZO膜で示唆される上記機構は、ドナーとして働く酸素空孔の増加によりI_Dが増加するという報告と異なる。