[14p-421-1~12] 9.1 誘電材料・誘電体

[14p-421-1] 溶液法IGZOの焼成温度が伝達特性に与える影響

〇(PC)森本 貴明¹、福田 伸子³、大木 義路^1,2 (1.早大先進理工、2.早大材研、3.産総研FLEC)

キーワード：IGZO、溶液法、XPS

溶液法IGZO薄膜の焼成温度を300℃から800℃に増加させるとV_G>0におけるI_D(オン電流)が増加する。しかし、I_D増加の原因となる、ドナー準位と伝導帯のエネルギー差の減少は見られない。一方、電子散乱中心となる酸素空孔や水酸基が減少しており、それがI_D増加の原因と考えられる。本IGZO膜で示唆される上記機構は、ドナーとして働く酸素空孔の増加によりI_Dが増加するという報告と異なる。