[14p-423-1~14] CS.4 7. コードシェアセッション：ビーム応用大分類

[14p-423-3] 化学増幅型レジストへのスルホン化合物の添加効果

〇岡本 一将^1,2、藤井 槙哉¹、山本 洋揮²、古澤 孝弘²、井谷 俊郎³ (1.北大院工、2.阪大産研、3.EIDEC)

キーワード：化学増幅型レジスト、電子線・EUVリソグラフィ、高感度化

現在半導体量産の微細化に伴って、7 nmノードにおいて極端紫外線（EUV）リソグラフィが導入されようとしている。そのため、感度、解像度、LERといったレジスト性能のトレードオフ関係を打破するEUV用レジスト材料・プロセス開発が求められている。本研究では、化学増幅型レジストへスルホン化合物を添加することによる、レジスト性能の向上ならびにその反応機構について報告する。