[14p-502-1~15] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [14p-502-14] ミストCVD法における高品質金属酸化物薄膜作製を目的とした反応メカニズム解析(Ⅰ)

〇(B)西 美咲¹、須和 祐太¹、刘 丽¹、ルトンジャン ピモンパン¹、ジャン ダン²、川原村 敏幸^1,2 (1.高知工大シス工、2.高知工大総研)

キーワード：ミストCVD、金属酸化物薄膜

ミストCVD法による高品質な金属酸化物薄膜作製を目的として、ZnOを対象に反応メカニズムの解析を行った。成膜条件に伴う結晶性の変化を調べたところ、高品質薄膜作製の指標が確認されたので報告する。