[14p-503-1~8] 窒化物半導体特異構造の科学　～発光再結合の解明と制御～

[14p-503-5] 横方向成長を利用したミリワット級 GaN VCSEL

〇濱口 達史¹、御友 重吾¹、中島 博¹、伊藤 仁道¹、佐藤 進¹、川西 秀和¹、成井 啓修¹ (1.ソニー)

キーワード：ミリワット級 GaN VCSEL