[14p-F201-1~14] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[14p-F201-12] Si 結晶中に形成されるウルトラシャローサーマルドナーの基底状態分離

〇原 明人¹、淡野 照義¹ (1.東北学院大工)

キーワード：半導体、シリコン、ドナー

報告者らによりシリコン(Si)中に炭素・水素・酸素からなる非常に浅い負のcentral cell correctionを有するUltrashallow Thermal Donors (USTDs)が発見された。さらに、引き続いた研究によ り、USTDsの形成メカニズムが明らかにされた。最近、USTDsの温度依存性を測定することによ り、USTDsの基底状態(ground-state)が分離しており、upper ground-stateが存在していることを示す証拠が発見された。