2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.7 結晶評価,不純物・結晶欠陥

[14p-F201-1~14] 15.7 結晶評価,不純物・結晶欠陥

2017年3月14日(火) 13:45 〜 17:30 F201 (F201)

末岡 浩治(岡山県立大)、中野 智(九大)

17:00 〜 17:15

[14p-F201-13] シリコン結晶中の低濃度炭素の測定(Ⅹ) 14乗までの測定法

井上 直久1,2、河村 裕一2 (1.東京農工大、2.大阪府大)

キーワード:シリコン結晶、炭素不純物濃度測定、赤外吸収

我々はシリコン結晶中の炭素濃度測定をパワーデバイス性能との関係が2005年に着目されて以降高感度化してきた。そして赤外吸収法による5x1014cm-3までの測定法を既に主な結晶メーカ、分光器メーカ、分析サービス会社に公開し協力して測定を可能にしている。またSIMS・放射化分析との相互校正も済ませている。最早14乗前後の結晶が実現されるようになりそれでは不十分なので技術確立と公開協力を進めているので例を報告する。