[14p-F206-1~13] 22.1 Joint Session M

△ [14p-F206-10] Analysis of Thermoelectric Property Dependence on Temprature and Dopant Profile

〇(B)Keisuke Shima¹, Motohiro Tomita^1,2, Yoshinari Kamakura³, Takanobu Watanabe¹ (1.Waseda Univ., 2.JSPS Res. Fellow PD, 3.Osaka Univ.)

Keywords:thermoelectric power generation, device simulation

不純物濃度の分布が不均一なn型Si半導体モデルに対してデバイスシミュレーションを行い、熱電特性を調査した。その結果、内部の温度勾配に対して適切な不純物濃度分布をとることで、デバイスのパワーファクターが向上する可能性がしめされた。また、その原因について使用した物理モデルから理論的に考察し、適切な不純物濃度分布とパワーファクターの値を予想した。