[14p-F206-1~13] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

[14p-F206-11] SOI層のゼーベック係数に与える試料サイズの効果

〇(M1C)荒巻 豪士¹、鈴木 悠平¹、鎌倉 良成²、渡邉 孝信³、池田 浩也¹ (1.静岡大、2.大阪大、3.早稲田大)

キーワード：ゼーベック係数

BドープしたSi-on-insulator（SOI）層をパターニングして，100 nm〜5 µmの幅を持つ5種類のp型SiNW列を形成し、試料サイズがゼーベック係数に与える効果を調べた。その結果、予想に反して、ワイヤの断面積が小さくなるに従って，ゼーベック係数が大きくなった。現在、その原因を検討している。