[14p-P10-1~98] 10 スピントロニクス・マグネティクス（ポスター）

[14p-P10-6] GaAs/GaMnAs超格子構造における有限温度の異方性磁気抵抗効果のシミュレーション

〇浅野 隼¹、野崎 大樹¹、加来 滋¹、吉野 淳二¹ (1.東工大院理)

キーワード：磁性半導体、異方性磁気抵抗効果

GaMnAs/GaAs超格子構造において,磁性層厚によって電気伝導の異方性が変化する実験結果が報告されているが,その起源は未解明である.本研究では,その解明を目指してkp摂動法による電子状態計算に基づき,半古典的なBoltzmannの輸送理論を用いた輸送係数のシミュレーションを行い,実験結果との比較からモデルの妥当性を議論した.特に本研究では,先行研究を拡張し,輸送係数の有限温度におけるシミュレーションを行った.