[14p-P3-1~19] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[14p-P3-15] 積層メタル技術によるTi/Au めっき構造体のヤング率評価（２）

〇中島 英亮^1,2、Chang Tso-Fu Mark^1,2、Chen Chun-Yi^1,2、小西 敏文³、町田 克之^1,2,3、年吉 洋^2,4、山根 大輔^1,2、益 一哉^1,2、曽根 正人^1,2 (1.東工大、2.JST-CREST、3.NTT-AT、4.東大)

キーワード：ヤング率、金、電解めっき